第三代半導體又火了!國產替代藉此”彎道超車”?

第三代半導體又火了!國產替代藉此”彎道超車”?

(原標題:第三代半導體又火了!國產替代藉此“彎道超車”?)

財聯社(上海,研究員 周辰)訊,今日早盤第三代半導體再度走強,前期龍頭聚燦光電拉昇封板,派瑞股份、幹照光電漲逾10%,新潔能、易事特、華燦光電、臺基股份等多股紛紛跟漲。板塊內30只成分股悉數收紅,無一隻個股下跌,板塊總體漲幅達5.3%。

值得注意的是,聚燦光電今日漲停也是該股自9月15日見頂以後,時隔近一個半月後再次錄得漲停。此外,在前期炒作中表現比較突出的幹照光電、臺基股份、露笑科技等,今日也均有不錯表現。

從三季報看,半導體業績維持高增速,行業景氣度在延續。在經過幾個月的深幅調整後,半導體板塊調整充分,上半年過度上漲帶來的高估值壓力,也得到了一定程度的消化。有市場人士分析,今日第三代半導體表現突出,主要是本次十四五規劃發佈之前,半導體板塊並沒有像新能源板塊那樣被提前炒作,股價經過了明顯的調整,調整時間基本都在一個半月之上。因此,週五在大盤大跌時反而異軍突起,兆易創新等領漲股兩天累計漲幅已近20%,在此背景下第三代半導體今日順勢爆發,這表明目前有資金在做高低切換。

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從今日第三代半導體板塊內漲幅居前的個股中不難看出,例如聚燦光電、幹照光電、華燦光電等均爲LED概念股。第三代半導體成爲今日市場熱點,爲什麼疊加LED概念的股漲幅靠前,兩者之間有何聯繫?

事實上,第三代半導體是指以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)爲代表的寬禁帶半導體材料。其中,氮化鎵材料廣泛應用於光電子器件,LED照明是典型的應用領域。幹照光電於今年2月在互動易披露,公司與深圳第三代半導體研究院的合作是全方位多層次的深度合作,在該平臺上研發的技術包括但不僅限於氮化鎵和Micro-LED。

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對此,有機構人士表示,機構看好Mini LED加速爆發機遇。高工LED預測,我國Mini LED應用市場規模在2018年僅3億元,2020年預計達到22億元。

2029年市場規模將超50億美元

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第三代半導體的火爆,主要是受到兩方面因素的共同催化,一方面,受國家政策面影響,中國將大力支持發展第三代半導體產業寫入“十四五”規劃之中;另一方面,當前國內的人工智能、5G等產業的技術和應用發展向好,支撐了板塊內相關細分行業的業績。

在我國發力“新基建”的背景下,第三代半導體材料成了非常重要的技術支撐。今年4月,國家發改委首次官宣“新基建”的範圍,正式定調了5G基建、人工智能、工業互聯網等七大領域的發展方向。而以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)爲首的第三代半導體是支持“新基建”的核心材料。比如,以氮化鎵(GaN)爲核心的射頻半導體,支撐着5G基站及工業互聯網系統的建設;以碳化硅(SiC) 以及IGBT爲核心的功率半導體,支撐着新能源汽車、充電樁、基站/數據中心電源、特高壓以及軌道交通系統的建設。

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根據Omdia的《2020年SiC和GaN功率半導體報告》顯示,2018年,全球碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體的銷售收入爲5.71億美元,預計到2020年底增至8.54億美元。未來十年將保持年均兩位數增長率,到2029年將超過50億美元。根據Yole數據,到2024年SiC功率半導體市場規模將增長至20億美元,其中,汽車市場佔SiC功率半導體市場比重到2024年預計將達50%。

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第三代半導體帶來彎道超車機會

在業內人士看來,第三代半導體更重要的意義是在功率器件領域,通過其特殊的材料特性,改進相關芯片及器件性能。

相較於第一代(硅、鍺爲代表)、第二代(砷化鎵、磷化銦爲代表)半導體材料,第三代半導體材料具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優點,具有應用於光電器件、微波射頻器件、電力電子器件等的先天性能優勢,在新能源汽車、智能電網、量子計算機、移動通信設備和基站、光伏等應用領域具有廣闊應用前景。

隨着第三代半導體應用需求攀升,國際巨頭近年來也通過併購以及擴產來鞏固自身優勢。據CASA Research不完全統計,2019年國際半導體領域共有包括英飛凌、羅姆、意法半導體等企業通過併購推進其在第三代半導體領域的佈局,材料、器件及模組標的均有涉及,整體涉及金額超過100億美元。

方正證券研報表示,第三代半導體國內外差距沒有一、二代半導體明顯。先發優勢是半導體行業的特點,Cree高市佔率也印證了先發優勢的重要性。相較於Si,國產廠商對SiC研究起步時間與國外廠商相差不多,因此國產廠商有希望追上國外廠商,完成國產替代。

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國信證券研報中也表示第三代半導體是中國大陸半導體的希望,並解釋了原因:

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第一,第三代半導體相比較第一代第二代半導體處於發展初期,國內和國際巨頭基本處於同一起跑線。

第二,中國有第三代半導體的應用市場,我們可以根據市場定義產品,而不是像以前跟着國際巨頭做國產化替代。

第三,第三代半導體難點不在設備、不在邏輯電路設計,而在於工藝,工藝開發具有偶然性,相比較邏輯芯片難度降低。

第四,對設備要求相對較低,投資額小,國內可以有很多玩家。在資本的推動下,可以全國遍地開花,最終走出來幾家第三代半導體公司的概率很大。

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